Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1?xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer grosseren Bandlucke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlucke zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Fur x < 0,4 liegt eine direkte Bandlucke vor, ansonsten besteht eine indirekte Bandlucke. Die ternare Verbindung AlGaAs ist ein sehr wichtiges Materialsystem in der Grundlagenforschung und industriellen Anwendung. Wegen der von der Zusammensetzung nahezu unabhangigen Gitterkonstante ist es mit epitaktischen Methoden wie der Molekularstrahlepitaxie oder der metallorganischen Gasphasenepitaxie (engl.: metal organic vapor phase epitaxy, MOVPE) moglich, unverspannte Halbleiter-Heterostrukturen herzustellen.

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