Книга посвящена физическим процессам в атомной подсистеме полупроводников, главным образом кремния.
Изложение проводится в рамках единого представления: в основе всех процессов лежат реакции между дефектами и примесями, присутствующими в исходном кристалле или вводимыми специальными обработками. Сформулированы общие положения о реакциях и о дефектах в твердых телах.
Проведена классификация основных дефектно-примесных реакций в кремнии. Подробно рассмотрены реакции в кремнии с участием кислорода, водорода, углерода; реакции образования метастабильных и радиационных дефектов; взаимосвязь процессов дефектообразования и диффузии.
Дан обзор результатов исследований крупных дефектных ассоциаций: термодоноров, разупорядоченных областей, примесных агломератов. Представлена оригинальная теория реакций между нейтральными и заряженными центрами в полупроводниках.

Книга рассчитана как на специалистов в области физики полупроводников, так и на читателей, впервые приступающих к исследованиям процессов в полупроводниковых кристаллах.