В современном полупроводниковом производстве технологические процессы характеризуются малыми длинами и короткими временами, что зачастую приводит к возникновению неравновесных условий, таких как нарушение локальной электронейтральности (ЭН), отклонение от равновесия в квазихимических реакциях между примесями, дефектами и их комплексами, образование неравновесных концентраций собственных точечных дефектов (СТД), контролирующих диффузию. В работе представлены результаты исследования совместной диффузии ионизованных примесей при нарушении локальной ЭН; диффузии примеси в условиях нарушения равновесия по СТД; геттерирования загрязняющей примеси однородно и неоднородно легированными слоями, а также геттерирования примеси, диффундирующей по механизму вытеснения. Авторами подробно рассмотрены существующие математические модели диффузии и методы решения диффузионных уравнений. Книга будет полезна как студентам и аспирантам так и профессионалам в области полупроводникового производства при разработке программ физико-технологического моделирования, а также при расчёте технологических процессов изготовления ИМС или силовых приборов.