Разработана компьютерная модель процессов формирования трехмерных пористых кластеров в полупроводниковых кристаллах кремния, учитывающая процессы на границе, участие реагентов в химических реакциях, изменение внутреннего потенциала со временем в ходе роста кластеров, а также доставку заряженных компонентов из глубины кристалла. Данная компьютерная модель позволяет лучше уяснить динамику формирования пор, визуально отобразить процесс формирования их структуры и наиболее интересные динамические объекты моделирования, проанализировать зависимость характера пористой структуры от параметров процесса порообразования, а также позволяет проанализировать численные характеристики кластеров, такие как средняя глубина пор, объём структуры, площадь поверхности кластера, фрактальная, корреляционная и массовая фрактальная размерности.

Данное издание не является оригинальным. Книга печатается по технологии принт-он-деманд после получения заказа.