В монографии рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных носителей заряда.Для студентов, аспирантов, инженерно-технических работников, преподавателей вузов. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1986 года (издательство "ФАИ").