15.05 USD
Наличие на складе:
Ожидаемое поступление (если вы сделаете заказ прямо сейчас): 04.09.2024; планируемая отправка: 05.09.2024
Ожидаемое поступление (если вы сделаете заказ прямо сейчас): 07.09.2024; планируемая отправка: 08.09.2024
Издательство: | URSS |
Дата выхода: | декабрь 1999 |
ISBN: | 5-8360-0068-9 |
Тираж: | 1 000 экземпляров |
Объём: | 320 страниц |
Масса: | 435 г |
Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся вобласти физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.