15.5 USD
Наличие на складе:
Ожидаемое поступление (если вы сделаете заказ прямо сейчас): 02.12.2024; планируемая отправка: 03.12.2024
Ожидаемое поступление (если вы сделаете заказ прямо сейчас): 29.11.2024; планируемая отправка: 30.11.2024
Издательство: | Лань |
Дата выхода: | май 2013 |
ISBN: | 978-5-8114-1375-1 |
Объём: | 208 страниц |
Обложка: | твёрдая |
Изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП и КМОП интегральных микросхем(ИМС), т. к. в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Основной особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях эксплуатации. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся по направлениям микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также специалистов, интересующихся надежностью и радиационной стойкостью ИМС.