Фотоэмиссионный анализ излучения основан на зависимости распределения фотоэлектронов внешнего фотоэффекта по энергиям от распределения фотонов в спектре излучения. Экспериментально решена обратная некорректно поставленная задача восстановления сплошных и линейчатых спектров чисто электронным способом без применения каких-либо оптических средств. Излучение объекта используется в телесном угле вплоть до 2п, световые потоки 10-8-10-10 Вт. Идентификация монохроматического излучения фото- и катодолюминесценции слоистых эпитаксиальных полупроводниковых структур позволила за счет увеличения контраста в растровом электронном микроскопе обнаружить и определить состав слоев при уровне световых потоков ~10-10 Вт. Анализ теплового излучения позволяет измерять интегральную цветовую температуру объекта с временным разрешением 10-6 с при методической погрешности измерений ~0,3 %. Рассмотрены требования, предъявляемые к датчику для выполнения фотоэмиссионного анализа излучения.