В предлагаемой читателю книге рассмотрены многослойные магнитные наноструктуры, нашедшие широкое применение в считывающих головках жестких дисков и лежащие в основе перспективной магниторезистивной памяти. Показано, что в многослойной системе ферромагнетик-антиферромагнетик поведение магнитных параметров порядка в слоях нанометровой толщины во многом определяется фрустрациями, возникающими на границах раздела слоев. Предсказаны новые типы доменных стенок, порождаемых фрустрациями обменного взаимодействия. Ширина этих стенок определяется конкуренцией обменных взаимодействий внутри слоев и между слоями и оказывается много меньше ширины традиционных доменных стенок. Построены фазовые диаграммы "толщина слоя (слоев)-шероховатость" тонкой пленки ферромагнетика на антиферромагнитной подложке и спин-вентильной системы ферромагнетик-антиферромагнетик-ферромагнетик с учетом энергии одноионной анизотропии. Обнаружено, что благоприятным для появления обменного сдвига в системе ферромагнетик-антиферромагнетик является наличие взаимно перпендикулярных легких осей, лежащих в плоскости слоев. Кроме этого, либо должно существовать связанное состояние доменной стенки на границе раздела, либо должен иметь место пиннинг доменной стенки дефектами кристаллической решетки в антиферромагнетике вблизи границы с ферромагнетиком, кристаллической решетки в антиферромагнетике вблизи границы с ферромагнетиком.