В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных эффектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных данных о диффузионно - контролируемых реакций в полупроводниках. Показано, что эти данные могут быть согласованы благодаря единому подходу к процессам возникновения и миграции дефектов в полупроводниках. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1981 года (издательство "Наука").