Der thermische Widerstand bei Leistungshalbleitern stellt einen entscheidenden Faktor bezuglich umsetzbarer Verlustleistung dar. Das Buch gibt einen Einblick in das thermische Verhalten von Leistungshalbleitern, beschreibt kurz die zwei gebrauchlichen Ersatzschaltbilder (Leitungs- und Reihenersatzschaltbild) fur Warmeleitungsvorgange, stellt mogliche Varianten vor, um den Transistor zu erwarmen und mit Hilfe von geeigneten, temperaturabhangigen Parametern aus den gemessenen Spannungswerten wahrend der Abkuhlphase, auf die Temperatur der warmeerzeugenden Schicht zu schliessen. Zur Bestimmung der Sperrschichttemperatur wurden zum einen die lineare Temperaturabhangigkeit der Flussspannung der integrierten Inversdiode bei vertikalen MOSFET`s und zum anderen die Temperaturabhangigkeit des Drain-Source-Einschaltwiderstandes RDS(on) ausgenutzt. Der weitestgehend programmgesteuerte Messplatz dient zur einfachen und prazisen Ermittlung des Warmewiderstands. Der Messplatz kann als Basis fur weiterfuhrende Betrachtungen und Entwicklungen verwendet werden.

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