Технические характеристики
Объектом исследования являются сверхпроводниковые наноструктуры, изготовленных из тонких пленок сверхпроводников, таких как NbN, WSi и пленки алмаза с примесью бора. Изучение физики неравновесного состояния в тонкопленочных сверхпроводящих наноструктурах, возникающего при поглощении инфракрасных фотонов. Изучение динамики процессов энергетической релаксации и механизма возникновения резистивного состояния в сверхпроводниковых наноструктурах, изготовленных из тонких сверхпроводящих пленок NbN, WSi и пленках алмаза, легированного бором.