Предисловие

Раздел I. пРОЕКТИРОВАНИЕ КонструкциЙ радиоэлектронных средств

Глава 1. Электрорадиокомпоненты

1.1. Эволюция электрорадиокомпонентов

1.2. Виды ЭРК и их параметры

1.3. Резисторы

1.4. Конденсаторы

1.5. Катушки индуктивности и трансформаторы

1.6. Пьезоэлектрические элементы

1.7. Коммутационные устройства

1.8. Полупроводниковые диоды

1.9. Транзисторы

1.10. Интегральные микросхемы

1.11. ЭРК сверхвысокочастотных устройств и функциональной электроники

1.12. Зарубежные электрорадиокомпоненты

Глава 2. Несущие конструкции РЭС

2.1. Назначение, классификация и требования к несущим конструкциям

2.2. Эволюция несущих конструкций РЭС

2.3. Принципы связей между конструктивными уровнями КС

2.4. Конструкции печатных плат и способы коммутации

2.5. Конструкторская документация

Глава 3. теоретические основы проектирования конструкций рэс

3.1. Системный подход — методологическая база создания РЭС

3.2. Основы системного анализа, синтеза и оптимизации параметров конструкций РЭС

Глава 4. Обеспечение тепловых режимов РЭС

4.1. Общие сведения

4.2. Механизмы теплообмена

4.3. Cредства обеспечения тепловых режимов РЭС

4.4. Расчет тепловых режимов РЭС

4.5. Моделирование стационарных тепловых полей РЭС

Глава 5. Влагозащита и герметизация РЭС

5.1. Механизмы проникновения влаги

5.2. Методы и способы влагозащиты и герметизации РЭС

5.3. Измерение влажности и контроль герметичности

Глава 6. Защита РЭС от механических воздействий

6.1. Механические нагрузки, действующие на РЭС

6.2. Конструкции РЭС и их расчетные модели

6.3. Виды динамических состояний конструкций и методы их анализа

6.4. Анализ динамических состояний пластинчатых конструкций

6.5. Анализ динамических состояний механических конструкций с сосредоточенной массой

6.6. Способы защиты РЭС от вибраций и ударов

6.7. Расчет параметров системы пассивной виброзащиты

Глава 7. Защита РЭС от воздействия ионизирующих излучений

7.1. Общие сведения

7.2. Общая характеристика, состав и параметры ИИ

7.3. Процессы взаимодействия ИИ с веществом

7.4. Радиационные эффекты и повреждения радиотехнических материалов

7.5. Защита РЭС от воздействия ИИ

Глава 8. Основы помехозащиты и шумоподавления

8.1. Общие сведения

8.2. Источники, пути передачи и методы подавления помех и шумов

8.3. Экранирование электрических и магнитных полей

8.4. Конструкции электромагнитных экранов РЭС

Глава 9. Основы надежности РЭС

9.1. Основные понятия надежности

9.2. Качественные составляющие надежности и их показатели

9.3. Случайные потоки отказов и восстановлений и их модели

9.4. Расчет показателей надежности РЭС

9.5. Методы обеспечения заданного уровня надежности РЭС

Раздел II. ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ

Глава 10. Технологические системы производства РЭС

10.1. Структура производственного процесса

10.2. Характеристики технологических процессов

Глава 11. Технологические процессы изготовления интегральных микросхем

11.1. Классификация интегральных микросхем по конструктивно-технологическим признакам

11.2. Технологические операции изготовления ГПИМС

11.3. Технологические операции создания поверхностной конфигурации

11.4. Технологические процессы полупроводникового производства

11.5. Технологические процессы изготовления ППИМС на полевых транзисторах

Глава 12. Печатные платы

12.1. Основные сведения

12.2. Назначение и классификация печатных плат

12.3. Материалы для изготовления печатных плат

12.4. Технологии изготовления печатных плат

Глава 13. Сборка, монтаж и регулировка РЭС

13.1. Виды соединений в конструкциях РЭС

13.2. Сборка и монтаж на печатных платах

Глава 14. Качество РЭС

14.1. Общие сведения

14.2. Контроль качества РЭС

14.3. Управление качеством РЭС

14.4. Технические методы и средства контроля

Список литературы