Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов силовой электроники, их конструктивные особенности, характеристики и специфика применения. Подробно рассмотрены электрические параметры и варианты конструкций силовых диодов, биполярных и полевых транзисторов, силовых интегральных схем. Даны основы базовых технологических процессов производства полупроводниковых приборов силовой электроники и приведены применяемые в них материалы.
Содержание учебного пособия соответствует курсам лекций, которые авторы читают в МГТУ имени Н.Э. Баумана.
Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки специалистов 210600 "Радиоэлектронные системы и комплексы". Будет полезно аспирантам и инженерам, специализирующимся в данной области.