Рассмотрены принцип действия, физические основы, устройство и технология изготовления полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов. Приведены основные параметры и характеристики различных типов полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов (цифро-знаковых индикаторов, модулей экрана, шкал). Изложены основные пути оптимизации параметров и главные направления развития этого класса полупроводниковых приборов.Для инженерно-технических работников, связанных с разработкой и использованием полупроводниковых приборов и оптико-электронной аппаратуры. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1990 года (издательство "Радио и Связь").