В монографии систематизированы и обобщены результаты разработок методов прогнозирования надежности полупроводниковых лавинных диодов и исследований механизмов их деградации. Авторы существенно опираются на собственные исследования и разработки в этой области. Проанализированы различные механизмы деградации полупроводниковых лавинных диодов с р — п-переходом, гетеропереходом, барьером Шотткн. Рассмотрены пути повышения их надежности. Для облегчения понимания процессов деградации лавинных диодов приведено краткое изложение физических основ лавинного размножения и результатов экспериментального изучения параметров, характеризующих процесс ударной ионизации в полупроводниках. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1986 года (издательство "Наукова думка").