Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

К. И. Таперо В. Н. Улимов А. М. Членов

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

бумажная книга
Проверить наличие на складах

Дата отгрузки на данный момент неизвестна.

Товар закончился у основного поставщика, и, после получения заказа от вас, мы закажем его у других поставщиков. Мы не можем гарантировать выполнение данного заказа, поэтому настоятельно не рекомендуем заказывать данный товар, используя предоплату (банковский перевод и т.п.). Заказ на такой товар действителен в течение 3 недель (если в течение 3 недель товар не придет, заказ будет отменен). Однако, это не означает, что товар нельзя заказать вновь, поскольку в некоторых случаях возможны и более поздние поставки.


Технические характеристики
Издательство:
Бином
Дата выхода:
январь 2014
ISBN:
978-5-9963-0633-6
Объём:
308 страниц
Масса:
386 г

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.



Полная версия

Мы принимаем
Подробнее об оплате

1996-2025 © OTALEX