Монокристаллические пленки, выращиваемые методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава, являются единственными искусственными материалами, в которые в качестве изоморфных замещений можно ввести около половины элементов из таблицы Д.И.Менделеева.

В связи с успешно решенной проблемой создания запоминающих устройств без механически перемещаемых частей была разработана технология получения подложек на основе монокристаллов гадолиний-галлиевого граната (ГГГ) для выращивания на них эпитаксиальных гранатовых пленок. В качестве подложек для выращивания эпитаксиальных пленок используют разные монокристаллы со структурой граната.

В частности, показано, что эпитаксиальные пленки, выращенные на подложках иттрий-алюминиевого граната, легированные ионами церия, имеют быструю кинетику затухания люминесценции (не более 30 нс) и являются перспективными для создания сцинтилляторов.

Целью настоящей работы являлось исследование спектрально-люминесцентных свойств эпитаксиальных пленок гадолиний-галлиевого граната с разной концентрацией иона Ce3+ .

Эта книга будет изготовлена в соответствии с Вашим заказом по технологии Print-on-Demand. Print-on-Demand - это технология печати книг по Вашему заказу на цифровом типографском оборудовании. Книга, напечатанная по технологии Print-on-Demand, представляет собой классический «евро-покет» с соблюдением всех стандартов качества, от офсетной бумаги и плотного картона до качественного клея, используемого при изготовлении.