В сборнике статей представлены результаты исследований поверхностных атомных структур, образо­ванных при взаимодействии молекулярных галогенов с основными гранями благородных металлов Си, Ag и Аи и гранью (100) полупроводника GaAs, а также результаты изучения поверхности Si(100)-c(6x2)-Ag. Для изучения процессов формирования и трансформации поверхностных структур применены современ­ные методы исследования, такие как низкотемпературная сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия и расчеты, основанные на теории функционала плотности, что позволяет на атомном уровне проследить за развитием структурных фазовых переходов, начиная с самых малых степе­ней покрытия от 0.01 монослоя.
Предназначен для специалистов и аспирантов, работающих в области физики поверхности и физики низкоразмерных систем.