7.07 USD
Наличие на складе:
Ожидаемое поступление (если вы сделаете заказ прямо сейчас): 08.09.2024; планируемая отправка: 09.09.2024
Ожидаемое поступление (если вы сделаете заказ прямо сейчас): 11.09.2024; планируемая отправка: 12.09.2024
Издательство: | Техносфера |
Дата выхода: | январь 2006 |
ISBN: | 5-94836-039-3 |
Тираж: | 1 500 экземпляров |
Объём: | 192 страниц |
Масса: | 380 г |
Размеры(В x Ш x Т), см: | 22 x 16 x 2 |
Обложка: | твёрдая |
Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении Функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок.
Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.