В монографии английских ученых освещены основы теории и практики современных неразрушающих рентгеновских методов исследования и контроля реальной структуры материалов электронной техники. Объединены высокоразрешающая дифрактометрия и топография, которые особенно эффективно используются совместно, охвачены все аспекты их применения. Особое внимание уделено интерпретации дифракционных данных и изображений дефектов в кристаллах, а также современной технике исследований, включая использование сверхмощных источников синхротронного излучения.
Для научных работников, инженеров, преподавателей и студентов, специализирующихся в области материаловедения, кристаллофизики и технологии материалов электронной техники.
Пер. с англ.